3結(jié)果與討論


3.1環(huán)盤微電極的制備與表征


圖1A為環(huán)盤電極的制備過程圖,中間為CFdisk電極,并被拉制的玻璃毛細(xì)管包被,玻璃管外壁利用濺射的方法鍍一層Au膜,為了形成納米Auring電極,側(cè)壁用石蠟絕緣。所制備的環(huán)盤電極電鏡表征圖如圖1C和1D所示,整個(gè)電極的外徑約為40μm,CFdisk電極的直徑約為7μm,納米Auring的厚度約為350 nm。此外,在挑選的毛細(xì)管玻璃壁厚度和拉制儀溫度下,CFdisk和Auring電極之間玻璃管的厚度約為10μm。

圖2為環(huán)盤電極、CFdisk電極和Auring電極在5 mmol/LRu(NH3)6Cl3溶液中的循環(huán)伏安圖。如圖2實(shí)線所示,在0.5~+0.1 V的電位范圍內(nèi),環(huán)盤電極中的CFdisk和Auring電極單獨(dú)施加電位時(shí),兩個(gè)電極的循環(huán)伏安圖為典型的穩(wěn)態(tài)伏安曲線,


說明CFdisk和Auring均具有微電極的特征。為了考察CFdiskAuring電極中CFdisk電極和Auring電極之間是否存在擴(kuò)散層交蓋,并且可獨(dú)立工作,使用兩通道,將CFdiskAuring環(huán)盤電極中的兩個(gè)電極同時(shí)施加電位,如圖2虛線所示,CFdisk和Auring的循環(huán)伏安圖也為穩(wěn)態(tài)曲線,并且兩個(gè)電極的電流大小和分別施加電位的圖相同,說明兩個(gè)電極之間未擴(kuò)散層交蓋。上述研究結(jié)果說明,此電極可用于兩組分的同時(shí)檢測(cè)。


3.2環(huán)盤電極對(duì)H2O2和DA的電化學(xué)響應(yīng)


如前所述,利用Auring電極檢測(cè)電刺激DA的釋放,并通過電化學(xué)沉積的方法,將對(duì)H2O2有選擇性催化的PB沉積在中間CFdisk電極上。H2O2雖然具有電化學(xué)活性,但是在一般電極上氧化還原過電位很大,氧化電位高于+0.6 V,還原電位低于


0.5 V,而PB在中性溶液中容易結(jié)構(gòu)坍塌,因此用電聚合的方法將導(dǎo)電聚合物PEDOT原位聚合在PB/CFdisk電極上,用以保持PB在中性溶液的穩(wěn)定性。圖3為所制備的電極對(duì)H2O2和DA在中性溶液中的電化學(xué)響應(yīng)圖。PB/CFdisk電極修飾PEDOT前后循環(huán)掃描25圈的穩(wěn)定性圖如圖3A和圖3B所示,PB/CFdisk電極在+0.18 V有一對(duì)可逆的PB的氧化還原峰,氧化還原峰電流在循環(huán)掃描的過程中,因?yàn)镻B在中性溶液中不穩(wěn)定,電流逐漸減小,而經(jīng)過PEDOT保護(hù)的PB/CFdisk電極,PB的氧化還原峰電流并未明顯的降低,說明PEDOT對(duì)PB具有很好的保護(hù)作用。當(dāng)在中性PBS中加入300μmol/L H2O2時(shí),PB的氧化峰電流減小,還原峰電流增加(圖3C),說明PB對(duì)H2O2具有良好的催化作用。DA在Auring電極上的電化學(xué)行為(圖3D)表明,DA在+0.18 V處氧化電流到達(dá)穩(wěn)態(tài),說明DA在Auring電極上有很好的電化學(xué)響應(yīng)。

圖3 PB/CFdisk電極在電聚合PEDOT(A)前和(B)后在PBS溶液中的循環(huán)掃描(CV)圖,掃速50 mV/s;(C)PEDOT/PB/CFdisk電極在PBS中加入300μmol/L H2O2前(a)、后(b)的CV圖,掃速5 mV/s;(D)Auring電極在PBS中加入100μmol/L DA前(a)、后(b)的CV圖,掃速50 mV/s


3.3環(huán)盤電極對(duì)H2O2和DA的電化學(xué)分析


為了避免環(huán)盤電極上H2O2和DA的相互干擾,本研究選擇PEDOT/PB/CFdisk電極對(duì)H2O2的檢測(cè)電位為0.05 V。首先考察了PEDOT/PB/CFdisk電極和Auring電極對(duì)H2O2和DA檢測(cè)的線性和靈敏度,結(jié)果如圖4所示。由圖4A可見,在0.05 V電位下,在PBS溶液中連續(xù)加入一定濃度的H2O2時(shí),PEDOT/PB/CFdisk電極具有良好的電流響應(yīng),H2O2濃度在1~29μmol/L范圍內(nèi),電流響應(yīng)與濃度呈現(xiàn)良好的線性關(guān)系(I(pA)=27.67-4.37CH2O2(μmol/L),R=0.98),檢出限為0.4μmol/L(S/N=3)。Auring電極對(duì)DA也具有良好的響應(yīng),DA濃度在0.5~25μmol/L,其電流響應(yīng)值與DA濃度呈良好的線性關(guān)系(I(nA)=0.40(nA)+0.45CDA(μmol/L),R=0.99),檢出限為0.18μmol/L(S/N=3)。

進(jìn)一步考察了環(huán)盤電極之間是否存在交叉干擾,結(jié)果如圖5所示,當(dāng)PBS溶液中加入20μmol/L H2O2后,Auring電極上未出現(xiàn)明顯的電流變化,而PEDOT/PB/CFdisk電極上的電流則明顯下降。加入圖4(A)在PBS溶液中連續(xù)加入一定濃度的H2O2后PEDOT/PB/CFdisk電極的電流響應(yīng)圖。電位:0.05 Vvs.Ag/AgCl;(B)從圖(A)中獲取的電流信號(hào)值與H2O2濃度的線性關(guān)系;(C)在PBS中連續(xù)加入一定濃度的DA后Auring電極的電流響應(yīng)及(D)從圖(C)中獲取的電流信號(hào)值與DA濃度的線性關(guān)系,電位:+0.3 V vs.Ag/AgClDA后,Au ring電極的電流出現(xiàn)了明顯增加,而PEDOT/PB/CFdisk電極的電流未明顯變化。

這些結(jié)果表明,PEDOT/PB/CFdiskAuring電極兩個(gè)通道之間未交叉干擾,因此可用于MFB NAc腦區(qū)中H2O2和DA的同時(shí)檢測(cè)。


利用計(jì)時(shí)電流法檢測(cè)時(shí),電極的穩(wěn)定性也是活體分析要考慮的重點(diǎn)問題。如圖6A所示,在2000 s內(nèi),PEDOT/PB/CFdisk電極能保持良好的穩(wěn)定性。本研究采用濺射成膜方式形成的Auring電極,檢測(cè)DA在2000 s內(nèi)同樣擁有良好的穩(wěn)定性,這與文獻(xiàn)[30]報(bào)道的金電極對(duì)DA檢測(cè)具有良好的穩(wěn)定性一致。


3.4鼠腦內(nèi)的H2O2和DA的活體檢測(cè)


為了證明Auring電極能夠用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)活體內(nèi)DA的變化,將環(huán)盤電極植入到SD大鼠的NAc腦圖6(A)在PBS溶液中加入10μmol/L H2O2后的PEDOT/PB/CFdisk電極的電流響應(yīng)圖。電位:-0.05 V vs.Ag/AgCl;(B)在PBS溶液中加入10μmol/L DA后的Auring電極的電流響應(yīng)圖。電位:+0.3 Vvs.Ag/AgCl區(qū),并在MFB區(qū)域用雙極電極進(jìn)行電刺激(60 Hz,±300μA,3 s)。如圖7A所示,在刺激后,Auring電極上記錄到短暫的脈沖式電流變化,

這種釋放模式與文獻(xiàn)報(bào)道一致。但是,在刺激下未觀察到H2O2濃度變化。為了考察PB/PEDOT/CFdisk電極能對(duì)H2O2具有響應(yīng),利用微灌注的方式,在微電極附近灌注H2O2(10 mmol/L),結(jié)果如圖7B所示,灌注H2O2 100 s后,電流逐漸下降,并達(dá)到峰值;停止灌注后,電流又恢復(fù)到基線值,說明PB/PEDOT/CFdisk電極對(duì)在活體內(nèi)對(duì)H2O2也具有良好的響應(yīng)。


4結(jié)論


制備了用于H2O2和DA檢測(cè)的環(huán)盤微電極,此電極對(duì)H2O2和DA均有良好的電流響應(yīng)和穩(wěn)定性。PEDOT/PB/CFdisk電極和Auring電極之間未交叉干擾,可檢測(cè)活體內(nèi)H2O2和DA濃度的變化。雖然在電刺激的過程中未觀察到二者濃度同時(shí)變化,但此方法可用于其它的生理或者病理過程中有關(guān)H2O2和DA濃度的變化,并促進(jìn)與之相關(guān)的生理和病理的研究。


基于微電極檢測(cè)大鼠腦內(nèi)的DA和過氧化氫濃度的變化(一)

基于微電極檢測(cè)大鼠腦內(nèi)的DA和過氧化氫濃度的變化(二)